МГТУ «МАМИ» — Кафедра «Автоматика и процессы управления»

Проверьте себя, отвечая на нижеследующие контрольные вопросы:

Задание 3:

Постарайтесь выполнить решения самостоятельно, не подсматривая готовые решения.

Готовые решения используйте только для самоконтроля и коррекции полученного Вами результата.

По ВАХ (вольт-амперной характеристике) транзистора определите, какого типа данный транзистор?

Покажите на ВАХ области, соответствующие активному режиму, режиму насыщения и режиму отсечки.

Решение:

Вольт-амперные характеристики а и б принадлежат транзистору типа npn. Для того, чтобы его эмиттерный переход был открыт, на базу подается положительное напряжение. На коллекторный переход также подается положительное напряжение. При UКЭ < UБЭ имеет место режим насыщения, когда оба перехода открыты. Этот режим лежит в области UКЭ < 1В.

При UКЭ ≥ 1В напряжение между коллектором и базой становится положительным, коллекторный переход закрывается, транзистор переходит в активный режим (эмиттер инжектирует носители, коллектор их экстрагирует).

Режим отсечки соответствует в области выходной ВАХ, лежащей ниже характеристики, снятой при IБ=0. В этом режиме оба перехода закрыты.

↑

Пользуясь вышеприведенными ВАХ определите h-параметры транзистора.

Решение:

— определяется по входным ВАХ при UКЭ = 10 В.

— определяется по входным ВАХ при токе IБ = 0,3 А.

— определяется по входным ВАХ при UКЭ = 8 В в точках а и б.

(Сим)— определяется по входным ВАХ в точке а.

↑

Пользуясь вышеприведенными ВАХ определите обратный ток коллекторного перехода транзистора с ОБ.

определите параметры h11Э и h12Э в рабочей точке с напряжениями UБЭ=350 мВ и UКЭ=5 В.

Решение:

Из схемы замещения транзистора в виде четырехполюсника имеем

h11Э = U1∼ / I1∼ | U 2∼ = 0

Малосигнальным переменным составляющим U1∼ и I1∼ можно поставить в соответствие прираращения Δ UБЭ и Δ IБ , а равенство нулю переменной составляющей U 2∼ интерпретировать как постоянство напряжения UКЭ. Тогда h 11Э можно рассматривать как входное сопротивление транзистора ОЭ на линейном участке ВАХ (в окрестности точки а):

h11Э = Δ UБЭ / Δ IБ | UКЭ = 5 В = 35⋅10-3 / (50⋅10-6) = 0,7103 Ом.

Определим второй параметр:

h12Э = U1∼ / U2∼ | I1∼= 0

Если рассматривать U1∼ как Δ UБЭ, U2∼ как ΔUКЭ, а I1∼ как ΔIБ , то h12Э есть коэффициент обратной связи по напряжению, обусловленный эффектом модуляции толщины базы:

h12Э = Δ UБЭ / ΔUКЭ | IБ = const

Задав IБ = 125 мкА, определим значения UБЭ для характеристик, построенных при UКЭ1 = 0 В (в точке б) и при UКЭ2 = 5 В (в точке а). Получаем

h12Э = 30⋅10-3 / 5 = 6⋅10-3

↑

Пользуясь вышеприведенными ВАХ, определите параметры h12Э и h22Э в рабочей точке с напряжением UКЭ = 25 В и током базы 300 мкА.

Решение:

По расстоянию между выходными характеристиками можно судить о параметре h21Э

h21Э = I 2∼ / I 1∼| U 2∼ = 0 = ΔIК / ΔIБ | IКЭ = const

Подставляя значения коллекторного тока в точках б и в, находим

h21Э = (37-23)⋅10-3 / [400-200⋅10-6] = 70

По наклону выходных характеристик можно судить о параметре h22Э:

h22Э = I 2∼ / U 2∼| I 1∼ = 0 = ΔIК / ΔUКЭ | IБ = const

Находим приращение тока ΔIК и напряжения ΔUКЭ при фиксированном значении тока базы IБ = 300 мкА (треугольник где), откуда следует, что

h22Э = 5⋅10-3 / 15 = 0,33⋅10-3 МОм ↑

Задание 1:

Задание 2:

Материал для подготовки к аттестации по теме:
«Транзисторы»

Задание 3:

Задание 1:

Задание 2:

Материал для подготовки к аттестации по теме: «Транзисторы»

Задание 3:

Материал для подготовки к аттестации по теме:
«Транзисторы»